Spezifikation 1: Reinheit ≥99,5 %, Gesamtmetallverunreinigungen ≤500 ppb
Spezifikation 2: Reinheit ≥99,9 %, Einzelmetallverunreinigung ≤10 ppb
| Name | N,N,N′,N′-Tetrakis(butoxymethyl)urea |
| CAS-Nummer | 43539-97-1 |
| Summenformel | C₂₁H₄₄N₂O₅ |
| Strukturformel | ![]() |
| Anwendungen | Halbleitermaterialien, Fotolacke, ArF, KrF |
| Reinheit | Klasse 1: Reinheit ≥99,5 %, Gesamtverunreinigungen ≤500 ppb Klasse 2: Reinheit ≥99,9 %, Einzelmetallverunreinigung ≤10 ppb |
| Verpackungsspezifikation | 20 kg/Fass, 25 kg/Fass |
In der Halbleiter-Mikroelektronik wirkt es als proprietärer Kernvernetzer für High-End-Fotolacke und ultrafeine ArF- und KrF-Lithographie und zeichnet sich durch extrem niedrige Spurenmetallrückstände aus.
F1: Wie niedrig sind die Metallverunreinigungen für fortschrittliche Fotolacke?
A: Die Spitzenklasse-Spezifikation erreicht Einzelmetall ≤10 ppb und Gesamtverunreinigungen ≤500 ppb.
F2: Welche Behältergrößen werden angeboten?
A: Spezielle ultrareine Elektronikfässer mit 20 kg und 25 kg.
F3: Können Sie einen vollständigen ICP-MS-Elementanalysebericht beifügen?
A: Sendungen in Elektronikqualität enthalten einen umfassenden ICP-MS-Spurenelementbericht.
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